射频磁控溅射镀膜装置 型号：DH-RM-1
主要用途：本设备主要用于大专院校研究和开发纳米单层膜；如硬质膜、金属膜；也可以是非金属、化合物等薄膜材料。可以进行直接溅射，亦可以实现反应溅射。
主要特点：结构简捷、操作简便，真空度维护高，安。
镀膜机应安装在干净埃、无腐蚀性气体的室内，并具备清洁水源、及220V的稳定电压等条件的地方。
1、地面的基本水平度要经过调整，不得高低不平；
2、环境温度：10℃～30℃；
3、相对湿度：不大于75%；
4、耗水量（进水温度≤25℃，2.5Kg≥水压≥1.5Kg）：约0.2T/h；
5、水质要求：
矽酸硬度<6度，PH值：7－8，电导率：200us/cm,沉积率：<200mg/L。
6、电压： 220V，50HZ，
电压波动范围： 198～231V；
频率波动范围：49～51Hz;
7、水压：0.3～1Kg/cm2或0.03～0.1MPa/cm2;
8、充入气体纯度99.9%或以上;
9、镀膜用耗材纯度99.9%或以上。
设备规格参数
1.1、溅射处理室：
1、钟罩：内径225mm×高度260mm；
2、试样台：直径80mm（zui大）；
3、试样旋转：静止；
4、挡板：手动；
5、衬底加热器：不锈钢加热器（DC24V）；
6、衬底温度范围：室温～200℃；
7、衬底可调距离：20mm～60mm；
8、溅射室限真空：0.5Pa
1.2、真空系统：
1、抽气系统：由机械泵组成的一真空系统；抽气速率：4升/S
2、真空检测：电阻真空计、电阻规；
3、常用真空度：1～20Pa
4、操作：手动
1.3、溅射电源：
1、射频电源：频率13.560MHZ,功率：500W，用表指示；
2、阻抗匹配器范围：（2.7～45）Ω-j（0～70）Ω；
3、供电：AC 220V；
4、冷却方式：风冷；
1.4、 磁控靶：
1、靶材直径：Ф50mm、 一个磁靶；
2、靶材厚度：3～6mm；
1.5、进气系统：2路转子流量计进气，
1.6、电源要求：AC 220V 50Hz 10A
1.7、气体要求：氩气--纯度99.9%(样品有要求时使用高纯)
1.8、冷却要求：靶体水冷，溅射电源风冷
1.9、体积重量：体积：L550mm×W680mm×H1480mm；约120kg
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