仪器由四探针测试仪和薄膜电导率测量仪两部分组成。具有测量度高、灵敏度高、稳定性好、测量范围宽、结构紧凑、使用方便等特点。仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能的测试。
四探针测试仪由主机、测试架等部分组成。可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻）、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。测试探头采用宝石导向轴套和高耐磨碳化钨探针制成，故定位、游移率小、寿命长。
薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成。
◆ 测量范围：电阻测量范围：1×106～1×1017Ω；
电阻率：0.001～200Ωcm；
电导率：0.005～1000s/cm；
◆ 可测晶片直径： 200mmX200mm；
◆ 探针：碳化钨或高速钢；探针间距：1±0.01mm；
◆ 针间缘电阻：≥1000MΩ；
机械游移率：≤0.3%；
◆ 本底真空度：≤10Pa，气压可控范围：10～400Pa；
◆ 衬底加热 温度：室温～200℃。
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